Transphorm展示用于PHEVs和EVs的新的汽车级AEC

Transphorm公司正在2017电力转换和智能运动（PCIM）欧洲博览会上展示其最近推出的第二代AEC-Q101-gualified GaN FET——业界首个汽车级GaN技术。

Transphorm的汽车级GaN FET,TPH3250WSBQA在一个行业标准TO-247封装中提供49毫欧姆（mΩ)的导通电阻，该部件最初针对用于插电式混合动力电动车辆（PHEVs）和电池电动车辆（BEVs）的车载充电器（OBC）和DC至DC系统。

今天，OBC是使用标准升压拓扑的单向（AC至DC）的，然而，由于GaN FET本质上是双向的，因此它们成为用于无桥图腾柱功率因素校正（PEC）拓扑（ bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) topology）结构的完美契合。一个具有GaN的双向OBC可以然后被设计来减少硅（Si）元件的数量、重量以及当今解决方案的整体系统成本。

当与现有技术如超结MDSFETs、IGBTs以及碳化硅（SiC)相比时，Transphorm的汽车级GaN属性包括：

1高达40%的功率密度；

2提高效率；

3较低的热堆积；

4降低系统重量、整个系统成本减少达20%；

5采用6英寸GaN-on-Silicon的大批量制造。

（信息来源：2017.5.1 Green Car Congress）戴朝典编译