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Transphorm展示用于PHEVs和EVs的新的汽车级AEC

  发布时间:2017-06-14 文章标签:

Transphorm公司正在2017电力转换和智能运动(PCIM)欧洲博览会上展示其最近推出的第二代AEC-Q101-gualified GaN FET——业界首个汽车级GaN技术。

Transphorm的汽车级GaN FET,TPH3250WSBQA在一个行业标准TO-247封装中提供49毫欧姆(mΩ)的导通电阻,该部件最初针对用于插电式混合动力电动车辆(PHEVs)和电池电动车辆(BEVs)的车载充电器(OBC)和DC至DC系统。

今天,OBC是使用标准升压拓扑的单向(AC至DC)的,然而,由于GaN FET本质上是双向的,因此它们成为用于无桥图腾柱功率因素校正(PEC)拓扑( bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) topology)结构的完美契合。一个具有GaN的双向OBC可以然后被设计来减少硅(Si)元件的数量、重量以及当今解决方案的整体系统成本。

当与现有技术如超结MDSFETs、IGBTs以及碳化硅(SiC)相比时,Transphorm的汽车级GaN属性包括:

1高达40%的功率密度;

2提高效率;

3较低的热堆积;

4降低系统重量、整个系统成本减少达20%;

5采用6英寸GaN-on-Silicon的大批量制造。


 

(信息来源:2017.5.1 Green Car Congress)戴朝典编译


 


 

 

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